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SQJ912AEP-T1_GE3

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制造商部分
SQJ912AEP-T1_GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
15284
在线数据表
SQJ912AEP-T1_GE3 PDF
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:30A
  • rds on (max) @ id, vgs:9.3mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:38nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1835pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:48W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:PowerPAK® SO-8 Dual
  • 供应商设备包:PowerPAK® SO-8 Dual
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