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ALD212908APAL

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制造商部分
ALD212908APAL
制造商
Advanced Linear Devices, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
14410
在线数据表
ALD212908APAL PDF
  • 系列:EPAD®, Zero Threshold™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):10.6V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:80mA
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (最大值) @ id:20mV @ 10µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 工作温度:0°C ~ 70°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 包/箱:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 供应商设备包:8-PDIP
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