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IPD50R650CEBTMA1

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制造商部分
IPD50R650CEBTMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 500V 9A
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19685
在线数据表
IPD50R650CEBTMA1 PDF
  • 系列:CoolMOS™ CE
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):500 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 1.8A, 13V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 150µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:342 pF @ 100 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):69W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:-
  • 供应商设备包:-
  • 包/箱:-
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