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DMT10H015LCG-13

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制造商部分
DMT10H015LCG-13
制造商
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
描述
MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13674
在线数据表
DMT10H015LCG-13 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):100 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:9.4A (Ta), 34A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:33.3 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1871 pF @ 50 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1W (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 155°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:V-DFN3333-8
  • 包/箱:8-VDFN Exposed Pad
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