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HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

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制造商部分
HSG1002VE-TL-E
制造商
Renesas Electronics America
描述
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 射频
系列
-
有存货
519687
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):3.5V
频率转换:38GHz
噪声系数 (db typ @ f):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
获得:8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值:200mW
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 5mA, 2V
电流 - 集电极 (ic) (max):35mA
工作温度:-
安装类型:Surface Mount
包/箱:4-SMD, Gull Wing
供应商设备包:4-MFPAK

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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