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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

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制造商部分
A2G35S200-01SR3
制造商
NXP Semiconductors
描述
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
182
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
晶体管型:GaN HEMT
频率:3.4GHz ~ 3.6GHz
获得:16.1dB
电压测试:48 V
额定电流(安培):-
噪声系数:-
电流测试:291 mA
功率输出:180W
额定电压:125 V
包/箱:NI-400S-2S
供应商设备包:NI-400S-2S

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