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BLF8G10LS-160,112

BLF8G10LS-160,112

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制造商部分
BLF8G10LS-160,112
制造商
NXP Semiconductors
描述
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
4
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
晶体管型:LDMOS
频率:920MHz ~ 960MHz
获得:19.7dB
电压测试:30 V
额定电流(安培):5µA
噪声系数:-
电流测试:1.1 A
功率输出:35W
额定电压:65 V
包/箱:SOT-502B
供应商设备包:SOT502B

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