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IGP01N120H2XKSA1

IGP01N120H2XKSA1

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制造商部分
IGP01N120H2XKSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
26012
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
igbt型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1.2 V
电流 - 集电极 (ic) (max):3.2 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):3.5 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 1A
功率 - 最大值:28 W
开关能量:140µJ
输入类型:Standard
栅极电荷:8.6 nC
td(开/关)@ 25°c:13ns/370ns
测试条件:800V, 1A, 241Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-220-3
供应商设备包:PG-TO220-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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