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FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

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制造商部分
FGD3N60UNDF
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 6A 60W DPAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
系列
-
有存货
2779
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
igbt型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (ic) (max):6 A
电流 - 集电极脉冲 (icm):9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.52V @ 15V, 3A
功率 - 最大值:60 W
开关能量:52µJ (on), 30µJ (off)
输入类型:Standard
栅极电荷:1.6 nC
td(开/关)@ 25°c:5.5ns/22ns
测试条件:400V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间 (trr):21 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:TO-252, (D-Pak)

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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