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BUK7108-40AIE,118

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制造商部分
BUK7108-40AIE,118
制造商
NXP Semiconductors
描述
PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
1115
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:75A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3.14 pF @ 25 V
场效应管特征:Current Sensing
功耗(最大值):221W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-426
包/箱:TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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