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LSIC1MO120E0160

LSIC1MO120E0160

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制造商部分
LSIC1MO120E0160
制造商
Wickmann / Littelfuse
描述
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
系列
-
有存货
371
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):1200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:22A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):20V
rds on (max) @ id, vgs:200mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 20 V
vgs (最大值):+22V, -6V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 800 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):125W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-247-3
包/箱:TO-247-3

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图片 零件号 描述 Stock / Unit Price
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