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APTGT50DH120T3G

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制造商部分
APTGT50DH120T3G
制造商
Microsemi
描述
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 模块
有存货
17209
在线数据表
APTGT50DH120T3G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:Trench Field Stop
  • 配置:Asymmetrical Bridge
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):75 A
  • 功率 - 最大值:277 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250 µA
  • 输入电容 (cies) @ vce:3.6 nF @ 25 V
  • 输入:Standard
  • ntc热敏电阻:Yes
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:SP3
  • 供应商设备包:SP3
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