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APTMC120HM17CT3AG

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制造商部分
APTMC120HM17CT3AG
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
POWER MODULE - SIC MOSFET
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
13286
在线数据表
APTMC120HM17CT3AG PDF
  • 系列:*
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:4 N-Channel
  • 场效应管特征:Silicon Carbide (SiC)
  • 漏源电压 (vdss):1200V (1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:147A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:17mOhm @ 100A, 20V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 30mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:332nC @ 5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:5576pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值:750W
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:Module
  • 供应商设备包:SP3
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