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APTM100DUM90G

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制造商部分
APTM100DUM90G
制造商
Microsemi
描述
MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
17356
在线数据表
APTM100DUM90G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):1000V (1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:78A
  • rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 39A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 10mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:744nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:20700pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1250W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:SP6
  • 供应商设备包:SP6
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