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SIGC12T60NCX1SA1

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制造商部分
SIGC12T60NCX1SA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
IGBT 3 CHIP 600V WAFER
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
12161
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):10 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 10A
  • 功率 - 最大值:-
  • 开关能量:-
  • 输入类型:Standard
  • 栅极电荷:-
  • td(开/关)@ 25°c:21ns/110ns
  • 测试条件:300V, 10A, 27Ohm, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:Die
  • 供应商设备包:Die
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