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2N7639-GA

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制造商部分
2N7639-GA
制造商
GeneSiC Semiconductor
描述
TRANS SJT 650V 15A TO257
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13600
在线数据表
2N7639-GA PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:-
  • 技术:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 漏源电压 (vdss):650 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:15A (Tc) (155°C)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 15A
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1534 pF @ 35 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):172W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:TO-257
  • 包/箱:TO-257-3
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