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ISP06P005LSATMA1

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制造商部分
ISP06P005LSATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET P-CH SOT223-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19606
在线数据表
-
  • 系列:OptiMOS™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):-
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:-
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (最大值) @ id:-
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PG-SOT223
  • 包/箱:TO-261-3
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