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RQA0002DNSTB-E

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制造商部分
RQA0002DNSTB-E
制造商
Renesas Electronics America
描述
MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
15387
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):16 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.8A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (最大值) @ id:750mV @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (最大值):±5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:102 pF @ 0 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):15W (Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:2-HWSON (5x4)
  • 包/箱:3-DFN Exposed Pad
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