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BSM600D12P3G001

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制造商部分
BSM600D12P3G001
制造商
ROHM Semiconductor
描述
1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
12299
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
  • 场效应管特征:Silicon Carbide (SiC)
  • 漏源电压 (vdss):1200V (1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:600A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (最大值) @ id:5.6V @ 182mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:31000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2450W (Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:Module
  • 供应商设备包:Module
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