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APTM10HM09FT3G

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制造商部分
APTM10HM09FT3G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
18793
在线数据表
APTM10HM09FT3G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:4 N-Channel (H-Bridge)
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:139A
  • rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 69.5A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 2.5mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:350nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:9875pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:390W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:SP3
  • 供应商设备包:SP3
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