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APTC60DDAM70T1G

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制造商部分
APTC60DDAM70T1G
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
10724
在线数据表
APTC60DDAM70T1G PDF
  • 系列:CoolMOS™
  • 包裹:Tray
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N Channel (Dual Buck Chopper)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:39A
  • rds on (max) @ id, vgs:70mOhm @ 39A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.9V @ 2.7mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:259nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:7000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:250W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:SP1
  • 供应商设备包:SP1
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