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APTM100A13DG

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制造商部分
APTM100A13DG
制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
15710
在线数据表
APTM100A13DG PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):1000V (1kV)
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:65A
  • rds on (max) @ id, vgs:156mOhm @ 32.5A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 6mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:562nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:15200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1250W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:SP6
  • 供应商设备包:SP6
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