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WNSC201200WQ

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制造商部分
WNSC201200WQ
制造商
WeEn Semiconductors Co., Ltd
描述
SILICON CARBIDE POWER DIODE
类别
分立半导体产品
家庭
二极管 - 整流器 - 单
有存货
11678
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Active
  • 二极管型:Silicon Carbide Schottky
  • 电压 - 直流反向 (vr) (max):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (io):20A
  • 电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.6 V @ 20 A
  • 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 电流 - 反向泄漏@ vr:220 µA @ 1200 V
  • 电容@vr, f:1.02nF @ 1V, 1MHz
  • 安装类型:Through Hole
  • 包/箱:TO-247-2
  • 供应商设备包:TO-247-2
  • 工作温度 - 结:175°C (Max)
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