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SI1029X-T1-E3

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制造商部分
SI1029X-T1-E3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
11866
在线数据表
SI1029X-T1-E3 PDF
  • 系列:TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:305mA, 190mA
  • rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:30pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:250mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:SOT-563, SOT-666
  • 供应商设备包:SC-89-6
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