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IRF7754GTRPBF

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制造商部分
IRF7754GTRPBF
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
17709
在线数据表
IRF7754GTRPBF PDF
  • 系列:HEXFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:900mV @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1984pF @ 6V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 供应商设备包:8-TSSOP
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