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SI5509DC-T1-GE3

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制造商部分
SI5509DC-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
13375
在线数据表
SI5509DC-T1-GE3 PDF
  • 系列:TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.1A, 4.8A
  • rds on (max) @ id, vgs:52mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:6.6nC @ 5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:455pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:4.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-SMD, Flat Lead
  • 供应商设备包:1206-8 ChipFET™
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