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IRF7509TR

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制造商部分
IRF7509TR
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
12313
在线数据表
IRF7509TR PDF
  • 系列:HEXFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.7A, 2A
  • rds on (max) @ id, vgs:110mOhm @ 1.4A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:12nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:210pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.25W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • 供应商设备包:Micro8™
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