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GPA030A135MN-FDR

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制造商部分
GPA030A135MN-FDR
制造商
SemiQ
描述
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
12682
在线数据表
GPA030A135MN-FDR PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:Trench Field Stop
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):1350 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 30A
  • 功率 - 最大值:329 W
  • 开关能量:4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • 输入类型:Standard
  • 栅极电荷:300 nC
  • td(开/关)@ 25°c:30ns/145ns
  • 测试条件:600V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):450 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 包/箱:TO-3
  • 供应商设备包:TO-3PN
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