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APT45GR65SSCD10

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制造商部分
APT45GR65SSCD10
制造商
Microsemi
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - igbts - 单
有存货
16757
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • igbt型:NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):118 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (icm):224 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 45A
  • 功率 - 最大值:543 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:Standard
  • 栅极电荷:203 nC
  • td(开/关)@ 25°c:15ns/100ns
  • 测试条件:433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):80 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 供应商设备包:D3Pak
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