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BSP149 E6327

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制造商部分
BSP149 E6327
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
19318
在线数据表
BSP149 E6327 PDF
  • 系列:SIPMOS®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:660mA (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):0V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 400µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 5 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:Depletion Mode
  • 功耗(最大值):1.8W (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PG-SOT223-4
  • 包/箱:TO-261-4, TO-261AA
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