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SI4426DY-T1-GE3

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制造商部分
SI4426DY-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
13150
在线数据表
SI4426DY-T1-GE3 PDF
  • 系列:TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):20 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6.5A (Ta)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±12V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):1.5W (Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:8-SO
  • 包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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