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SI8424DB-T1-E1

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制造商部分
SI8424DB-T1-E1
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
18715
在线数据表
SI8424DB-T1-E1 PDF
  • 系列:TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):8 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12.2A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.2V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:31mOhm @ 1A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 5 V
  • vgs (最大值):±5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1950 pF @ 4 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:4-Microfoot
  • 包/箱:4-XFBGA, CSPBGA
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