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IPP65R074C6XKSA1

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制造商部分
IPP65R074C6XKSA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
12001
在线数据表
IPP65R074C6XKSA1 PDF
  • 系列:CoolMOS™
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):650 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:57.7A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:74mOhm @ 13.9A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 1.4mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±20V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:3020 pF @ 100 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):480.8W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:PG-TO220-3
  • 包/箱:TO-220-3
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