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SI5411EDU-T1-GE3

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制造商部分
SI5411EDU-T1-GE3
制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
18656
在线数据表
SI5411EDU-T1-GE3 PDF
  • 系列:TrenchFET®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:P-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):12 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:25A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:900mV @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 8 V
  • vgs (最大值):±8V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:4100 pF @ 6 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 供应商设备包:PowerPAK® ChipFet Single
  • 包/箱:PowerPAK® ChipFET™ Single
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