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IRLU3303PBF

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制造商部分
IRLU3303PBF
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
17748
在线数据表
IRLU3303PBF PDF
  • 系列:HEXFET®
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):30 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:35A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:31mOhm @ 21A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 4.5 V
  • vgs (最大值):±16V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:870 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):68W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Through Hole
  • 供应商设备包:I-PAK
  • 包/箱:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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