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APT20M19JVR

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制造商部分
APT20M19JVR
制造商
Microsemi
描述
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
有存货
10103
在线数据表
APT20M19JVR PDF
  • 系列:POWER MOS V®
  • 包裹:Tube
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 技术:MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源电压 (vdss):200 V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:112A (Tc)
  • 驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):10V
  • rds on (max) @ id, vgs:19mOhm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:495 nC @ 10 V
  • vgs (最大值):±30V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:11640 pF @ 25 V
  • 场效应管特征:-
  • 功耗(最大值):500W (Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 供应商设备包:ISOTOP®
  • 包/箱:SOT-227-4, miniBLOC
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