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TH58NYG2S3HBAI6

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制造商部分
TH58NYG2S3HBAI6
制造商
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
描述
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
类别
集成电路
家庭
记忆
有存货
16713
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Tray
  • 零件状态:Active
  • 内存类型:Non-Volatile
  • 内存格式:FLASH
  • 技术:FLASH - NAND (SLC)
  • 内存大小:4Gb (512M x 8)
  • 内存接口:Parallel
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:25ns
  • 访问时间:-
  • 电压 - 电源:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:63-BGA
  • 供应商设备包:63-BGA (9x11)
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