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NSBC123EPDXV6T1

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制造商部分
NSBC123EPDXV6T1
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列,预偏置
有存货
11569
在线数据表
NSBC123EPDXV6T1 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 晶体管型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (r1):2.2kOhms
  • 电阻器 - 发射极基极 (r2):2.2kOhms
  • 直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:8 @ 5mA, 10V
  • vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:250mV @ 5mA, 10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率转换:-
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:SOT-563, SOT-666
  • 供应商设备包:SOT-563
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