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RN1910FE,LF(CT

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制造商部分
RN1910FE,LF(CT
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列,预偏置
有存货
10872
在线数据表
RN1910FE,LF(CT PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 晶体管型:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 电流 - 集电极 (ic) (max):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器 - 基极 (r1):4.7kOhms
  • 电阻器 - 发射极基极 (r2):-
  • 直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA (ICBO)
  • 频率转换:250MHz
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:SOT-563, SOT-666
  • 供应商设备包:ES6
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