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SSM6N67NU,LF

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制造商部分
SSM6N67NU,LF
制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
17178
在线数据表
SSM6N67NU,LF PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 1.8V Drive
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4A (Ta)
  • rds on (max) @ id, vgs:39.1mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:3.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:310pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2W (Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:6-WDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包:6-UDFN (2x2)
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