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EFC6602R-TR

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制造商部分
EFC6602R-TR
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
13887
在线数据表
EFC6602R-TR PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • 漏源电压 (vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:18A (Ta)
  • rds on (max) @ id, vgs:5.9mOhm @ 3A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.3V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:55nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:-
  • 功率 - 最大值:2W (Ta)
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:6-XFBGA, WLCSP
  • 供应商设备包:6-WLCSP (1.81x2.7)
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