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NTE2960

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制造商部分
NTE2960
制造商
NTE Electronics, Inc.
描述
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
11362
在线数据表
-
  • 系列:-
  • 包裹:Bag
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):900V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:7A
  • rds on (max) @ id, vgs:2Ohm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1380pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:40W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 安装类型:Through Hole
  • 包/箱:TO-220-3 Full Pack
  • 供应商设备包:TO-220 Full Pack
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