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EPC2110ENGRT

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制造商部分
EPC2110ENGRT
制造商
EPC
描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
10746
在线数据表
EPC2110ENGRT PDF
  • 系列:eGaN®
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • 场效应管特征:GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源电压 (vdss):120V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.4A
  • rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 700µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:0.8nC @ 5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:80pF @ 60V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:Die
  • 供应商设备包:Die
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