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FF6MR12W2M1B11BOMA1

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制造商部分
FF6MR12W2M1B11BOMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET MODULE 1200V 200A
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
18425
在线数据表
-
  • 系列:CoolSiC™+
  • 包裹:Tray
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Silicon Carbide (SiC)
  • 漏源电压 (vdss):1200V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:200A (Tj)
  • rds on (max) @ id, vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
  • vgs(th) (最大值) @ id:5.55V @ 10mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:496nC @ 15V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:14700pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:20mW (Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Chassis Mount
  • 包/箱:Module
  • 供应商设备包:AG-EASY2BM-2
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