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QS8M51TR

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制造商部分
QS8M51TR
制造商
ROHM Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
14641
在线数据表
QS8M51TR PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2A, 1.5A
  • rds on (max) @ id, vgs:325mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 1mA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.7nC @ 5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:290pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 工作温度:150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-SMD, Flat Lead
  • 供应商设备包:TSMT8
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