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CSD87312Q3E

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制造商部分
CSD87312Q3E
制造商
Texas Instruments
描述
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
10056
在线数据表
-
  • 系列:NexFET™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:27A
  • rds on (max) @ id, vgs:33mOhm @ 7A , 8V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:8.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-PowerTDFN
  • 供应商设备包:8-VSON (3.3x3.3)
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