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IPG16N10S4L61AATMA1

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制造商部分
IPG16N10S4L61AATMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
15375
在线数据表
IPG16N10S4L61AATMA1 PDF
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • 场效应管特征:Logic Level Gate
  • 漏源电压 (vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:16A
  • rds on (max) @ id, vgs:61mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.1V @ 90µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:11nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:845pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:29W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount, Wettable Flank
  • 包/箱:8-PowerVDFN
  • 供应商设备包:PG-TDSON-8-10
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