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NTMFD4C88NT1G

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制造商部分
NTMFD4C88NT1G
制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
15897
在线数据表
NTMFD4C88NT1G PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Bulk
  • 零件状态:Obsolete
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • 场效应管特征:Standard
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11.7A, 14.2A
  • rds on (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:22.2nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:1252pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.1W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-PowerTDFN
  • 供应商设备包:8-DFN (5x6)
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