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BSZ215CHXTMA1

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制造商部分
BSZ215CHXTMA1
制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
16533
在线数据表
BSZ215CHXTMA1 PDF
  • 系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Active
  • 场效应管类型:N and P-Channel Complementary
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • 漏源电压 (vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.1A, 3.2A
  • rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • vgs(th) (最大值) @ id:1.4V @ 110µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:2.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:419pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:8-PowerTDFN
  • 供应商设备包:PG-TSDSON-8
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