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DMG6602SVT-7

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制造商部分
DMG6602SVT-7
制造商
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
描述
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
有存货
14032
在线数据表
DMG6602SVT-7 PDF
  • 系列:-
  • 包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 零件状态:Not For New Designs
  • 场效应管类型:N and P-Channel
  • 场效应管特征:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • 漏源电压 (vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:3.4A, 2.8A
  • rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 3.1A, 10V
  • vgs(th) (最大值) @ id:2.3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:13nC @ 10V
  • 输入电容 (ciss) (max) @ vds:400pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:840mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安装类型:Surface Mount
  • 包/箱:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供应商设备包:TSOT-26
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